| 货号 |
编号 |
参数 |
库存 |
价格 |
| 100985 |
MK1344 |
4英寸-50nm氮化层 |
100 |
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| 100985 |
MK1344 |
4英寸-100nm氮化层 |
100 |
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| 100985 |
MK1344 |
4英寸-150nm氮化层 |
100 |
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| 100985 |
MK1344 |
4英寸-200nm氮化层 |
100 |
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| 100985 |
MK1344 |
4英寸-300nm氮化层 |
100 |
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| 100985 |
MK1344 |
4英寸/6英寸-其他厚度氮化层 |
100 |
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简要介绍： 在微电子和光电子材料及器件的研究和生产领域，氮化硅已然成为一种重要的薄膜材料。随着超大规模集成电路的发展，集成度、复杂性和封装要求的不断提高，氮化硅作为钝化膜、绝缘层、扩散掩膜应用越来越广泛。研究发现，硅中的氮能够提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。 | 样品名称 | 尺寸 | 氮化层厚度 | 成膜方式 | 硅厚度 | 硅片电阻率 | | 氮化硅片 | 4英寸（100mm） | 100nm 200nm 300nm其他可定制 | LPCVD | 375μm/500μm | ＜0.05 Ω·cm |
氮化硅衬底照片： 150nm Si3N4层 
200nm Si3N4层 
LPCVD制备Si3N4不同厚度颜色不同： 
其他信息： 询问
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